单晶硅压力变送器和电容式压力变送器他们之间存在什么样的区别？

      单晶硅压力变送器和电容式压力变送器都是表示器的一种，他们各自有什么样的区别呢，接下来我们来了解一下他们之间的区别。

      单晶硅压力传感器技术与专业封装工艺，精心研制出的一款先进技术的高性能压力变送器,测量精度高达0.075级，特有的双过载保护膜设计，单向过压可达40MPa。单晶硅压力传感器位于金属位于顶部，远离介质接触面，实现机械隔离和热隔离；玻璃烧结一体的传感器引线实现了与金属基体的高强度电气绝缘，提高了电子线路的灵活性能与耐瞬变电压保护的能力。这些技术确保了单晶硅压力变送器可从容应对的化学场合和机械负荷，同时具备*的抗电磁干扰能力，足以应对为复杂的工业环境应用，是名副其实的隐形仪表。

      电容式差压变送器的检测元件采用电容式压力传感器，组成分测量和放大两大部分。输入差压作用于测量部分电容式压力传感器的中心感压膜片，从而使感压膜片（即可动电极）与两固定电极所组成电容量发生变化，此电容变化量由电容/电流转换电路转换成电流信号Id，Id和调零与零迁电路产生的调零信号IZ的代数和同反馈电路产生的反馈信号If进行比较，其差值送入放大器，经放大得到整机的输出信号IO。

     单晶硅变送器采用单晶硅片为弹性元件，在单晶硅膜片上利用集成电路的工艺，在单晶硅的特定方向扩散一组等值电阻，并将电阻接成桥路，单晶硅片置于传感器腔内。

     电容式变送器被测介质的两种压力通入高、低两个压力室，作用在δ元件(即敏感元件)的两侧隔离膜片上，通过隔离片和元件内的填充液传送到测量膜片两侧。电容式压力变送器是由测量膜片与两侧绝缘片上的电极各组成一个电容器。 当两侧压力不一致时，致使测量膜片产生位移，其位移量和压力差成正比，故两侧电容量就不等，通过振荡和解调环节，转换成与压力成正比的信号。